3d x-dram 文章進(jìn)入3d x-dram技術(shù)社區(qū)

瑞薩三合一驅(qū)動(dòng)單元方案，助力電動(dòng)車(chē)輕盈啟航

如今，電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)器正在從傳統(tǒng)的分布式系統(tǒng)過(guò)渡到集中式架構(gòu)。在傳統(tǒng)的電動(dòng)汽車(chē)設(shè)計(jì)中，逆變器、車(chē)載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器等關(guān)鍵部件往往采用分布式布局，各自獨(dú)立工作，通過(guò)復(fù)雜的線(xiàn)束相互連接。這種設(shè)計(jì)方式不僅繁雜笨重，且維護(hù)起來(lái)也異常復(fù)雜。在這種情況下，X-in-1技術(shù)應(yīng)用而生。X-in-1技術(shù)是一種動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)的集成技術(shù)，?旨在將多個(gè)動(dòng)力傳動(dòng)組件集成到單一的系統(tǒng)中，?以提高整體性能、?減少體積和重量。?基于X-in-1技術(shù)，瑞薩推出三合一電動(dòng)汽車(chē)單元解決方案，該方案將多個(gè)分布式系統(tǒng)集成到一個(gè)實(shí)體中，包括車(chē)載
關(guān)鍵字：驅(qū)動(dòng)器電動(dòng)汽車(chē) X-in-1

Qualcomm Snapdragon X 芯片快照揭示巨大緩存大量 CPU 內(nèi)核

一個(gè)名叫 Piglin 的人在中國(guó)百度平臺(tái)上發(fā)布了一張據(jù)稱(chēng)是高通驍龍 X 處理器的帶注釋的模具。該圖像顯示了大量的 CPU 內(nèi)核、中等大小的 GPU 和巨大的緩存。不幸的是，芯片沒(méi)有透露 45 TOPS 神經(jīng)處理單元（NPU），高通認(rèn)為該部件是該片上系統(tǒng)的主要賣(mài)點(diǎn)。芯片拍攝的泄密者表明，12 核 Snapdragon X Elite 的芯片尺寸為 169.6 mm^2。這比 Apple 的 10 核 M4 大一點(diǎn)，后者為 165.9 毫米^2。然而，應(yīng)該注意的是，高通的驍龍 X Elite 是采用臺(tái)積電
關(guān)鍵字： Qualcomm Snapdragon X 芯片快照 CPU 內(nèi)核

臺(tái)積電OIP推3D IC設(shè)計(jì)新標(biāo)準(zhǔn)

臺(tái)積電OIP（開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)）于美西當(dāng)?shù)貢r(shí)間25日展開(kāi)，除表?yè)P(yáng)包括力旺、M31在內(nèi)之業(yè)者外，更計(jì)劃推出3Dblox新標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新，并提高EDA工具的通用性。臺(tái)積電設(shè)計(jì)構(gòu)建管理處負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構(gòu)中的物理挑戰(zhàn)，幫助共同客戶(hù)利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的設(shè)計(jì)。臺(tái)積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑，與設(shè)計(jì)合作伙伴及客戶(hù)共同探討如何通過(guò)更深層次的合作，推動(dòng)AI芯片設(shè)計(jì)的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 OIP 3D IC設(shè)計(jì)

TrendForce：內(nèi)存下半年價(jià)格恐摔

根據(jù)TrendForce最新調(diào)查，消費(fèi)型電子需求未如預(yù)期回溫，中國(guó)大陸地區(qū)的智能型手機(jī)，出現(xiàn)整機(jī)庫(kù)存過(guò)高的情形，筆電也因?yàn)橄M(fèi)者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購(gòu)買(mǎi)，市場(chǎng)持續(xù)萎縮。此一現(xiàn)象，導(dǎo)致以消費(fèi)型產(chǎn)品為主的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)走弱，第二季價(jià)格較第一季下跌超過(guò)30％。盡管現(xiàn)貨價(jià)至8月份仍與合約價(jià)脫鉤，但也暗示合約價(jià)可能的未來(lái)走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費(fèi)類(lèi)NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費(fèi)性?xún)?nèi)存市場(chǎng)正遭遇嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但202
關(guān)鍵字： TrendForce 內(nèi)存 DRAM

SK海力士成功開(kāi)發(fā)出全球首款第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM

2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開(kāi)發(fā)出采用第六代10納米級(jí)（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細(xì)化存儲(chǔ)工藝技術(shù)。SK海力士強(qiáng)調(diào)：“隨著10納米級(jí)DRAM技術(shù)的世代相傳，微細(xì)工藝的難度也隨之加大，但公司以通過(guò)業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計(jì)完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備，從明年開(kāi)始供應(yīng)產(chǎn)品，引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展?！惫疽?b DRAM
關(guān)鍵字： SK海力士第六代 10納米級(jí) DDR5 DRAM

ST更新軟件包, X-CUBE-MATTER支持 Matter 1.3

ST 高興地宣布X-CUBE-MATTER現(xiàn)已支持 Matter 1.3。幾個(gè)月前，我們發(fā)布了這個(gè)軟件包的公開(kāi)版，確保更多開(kāi)發(fā)者能夠使用這個(gè)軟件包。隨著今天新版本的發(fā)布，我們成為現(xiàn)在首批支持該標(biāo)準(zhǔn)最新版本的芯片廠商之一。在Matter 1.3新增的眾多功能中，值得一提的是能耗報(bào)告。顧名思義，這個(gè)功能可以讓設(shè)備更容易報(bào)告電能消耗情況，從而幫助用戶(hù)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)能耗。另一個(gè)主要功能是間歇性連接設(shè)備，簡(jiǎn)稱(chēng)ICD。簡(jiǎn)而言之，ICD功能可以讓 Matter 設(shè)備在特定間隔自動(dòng)打開(kāi)網(wǎng)絡(luò)連接，與其他設(shè)備通信，當(dāng)客戶(hù)端設(shè)備不可
關(guān)鍵字：軟件包 X-CUBE-MATTER

第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季增24.8%，預(yù)期第三季合約價(jià)將上調(diào)

根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)調(diào)查，受惠主流產(chǎn)品出貨量擴(kuò)張帶動(dòng)多數(shù)業(yè)者營(yíng)收成長(zhǎng)，2024年第二季整體DRAM（內(nèi)存）產(chǎn)業(yè)營(yíng)收達(dá)229億美元，季增24.8%。價(jià)格方面，合約價(jià)于第二季維持上漲，第三季因國(guó)際形勢(shì)等因素，預(yù)估Conventional DRAM（一般型內(nèi)存）合約價(jià)漲幅將高于先前預(yù)期。觀察Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出貨表現(xiàn)，均較前一季有所增加，平均銷(xiāo)售單價(jià)方面，三大廠延續(xù)第一季合約價(jià)上漲情勢(shì)，加上臺(tái)灣地區(qū)四月初地震影響，以及HBM
關(guān)鍵字： DRAM TrendForce 集邦咨詢(xún)

imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)

比利時(shí)微電子研究中心（imec），在荷蘭費(fèi)爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實(shí)驗(yàn)室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機(jī)，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機(jī)邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機(jī)通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）專(zhuān)用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計(jì)劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線(xiàn)制程。透過(guò)這些研究成果，imec證實(shí)該微影技術(shù)的生態(tài)系
關(guān)鍵字： imec High-NA EUV DRAM

外媒：三星推出超薄型手機(jī)芯片LPDDR5X DRAM

8月7日消息，隨著移動(dòng)設(shè)備功能的不斷增強(qiáng)，對(duì)內(nèi)存性能和容量的要求也日益提高。據(jù)外媒gsmarena報(bào)道，三星電子近日宣布，公司推出了業(yè)界最薄的LPDDR5X DRAM芯片。這款12納米級(jí)別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項(xiàng)，專(zhuān)為低功耗RAM市場(chǎng)設(shè)計(jì)，主要面向具備設(shè)備端AI能力的智能手機(jī)。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米，比上一代產(chǎn)品薄了9%。三星估計(jì)，這一改進(jìn)將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過(guò)優(yōu)化印刷電路板（PCB）和環(huán)氧樹(shù)脂封裝技術(shù)，將LPDDR5X的厚度
關(guān)鍵字：三星手機(jī)芯片 LPDDR5X DRAM

萊迪思Avant-X：捍衛(wèi)數(shù)字前沿

現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA）在當(dāng)今的眾多技術(shù)中發(fā)揮著重要作用。從航空航天和國(guó)防到消費(fèi)電子產(chǎn)品，再到關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施和汽車(chē)行業(yè)，F(xiàn)PGA在我們生活中不斷普及。與此同時(shí)對(duì)FPGA器件的威脅也在不斷增長(zhǎng)。想要開(kāi)發(fā)在FPGA上運(yùn)行（固件）的IP需要花費(fèi)大量資源，受這些FPGA保護(hù)的技術(shù)也是如此。這使得FPGA成為IP盜竊或破壞的潛在目標(biāo)。防止IP盜竊、客戶(hù)數(shù)據(jù)泄露和系統(tǒng)整體完整性所需的安全功能已經(jīng)不可或缺。它們是許多FPGA應(yīng)用的基礎(chǔ)，在某些地區(qū)有相應(yīng)法律要求（例如，歐盟的GDPR、美國(guó)的HIPAA、英國(guó)的2018年
關(guān)鍵字：萊迪思 Avant-X FPGA

基于Diodes AP43776Q+PI3DBS16222Q+PI3DPX1207Q的車(chē)載USB3.X和DP數(shù)據(jù)通信方案

汽車(chē)的智能化不僅帶來(lái)了駕駛安全系數(shù)的提升，也豐富了車(chē)機(jī)的娛樂(lè)系統(tǒng)，使大家有更好的、更便利的用車(chē)體驗(yàn)。在各種的座艙設(shè)計(jì)中，USB口作為一個(gè)傳統(tǒng)的車(chē)機(jī)外設(shè)接口，功能也一直不斷的在提升，主要體現(xiàn)在充電功率的增大、數(shù)據(jù)傳輸?shù)亩鄻有院蛡鬏斔俣鹊脑黾樱汗β蕪?V/0.5A到60W、100W，數(shù)據(jù)從USB2.0升級(jí)為USB3.X、DP投屏等。功能的提升離不開(kāi)硬件的支持，Diodes推出的AP43776Q+PI3DPX1207Q+PI3DBS16222Q方案，支持PD協(xié)議、USB3.1 Gen2 數(shù)據(jù)傳輸和DP投
關(guān)鍵字： Diodes AP43776Q PI3DBS16222Q PI3DPX1207Q 車(chē)載USB3.X DP數(shù)據(jù)通信

HBM排擠效應(yīng) DRAM漲勢(shì)可期

近期在智慧手機(jī)、PC、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器上，用于暫時(shí)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的DRAM價(jià)格漲勢(shì)停歇，買(mǎi)家拉貨不積極，影響DRAM報(bào)價(jià)漲勢(shì)。業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產(chǎn)能增開(kāi)，對(duì)一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應(yīng)，加上產(chǎn)業(yè)旺季來(lái)臨，可帶動(dòng)DRAM重啟漲勢(shì)。據(jù)了解，6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價(jià)約2.10美元、容量較小的4GB合約價(jià)1.62美元左右，表現(xiàn)持平，主要是供需雙方對(duì)價(jià)格談判，呈現(xiàn)拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據(jù)傳有望通過(guò)輝達(dá)（NVIDIA）認(rèn)證，輝達(dá)GB200將于2025年放量，其
關(guān)鍵字： HBM DRAM 美光

圓滿(mǎn)收官！紫光國(guó)芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實(shí)力

圓滿(mǎn)收官！紫光國(guó)芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實(shí)力2024年7月8日至10日，西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)：紫光國(guó)芯，證券代碼：874451）精彩亮相慕尼黑上海電子展。紫光國(guó)芯聚焦人工智能、高性能計(jì)算、汽車(chē)電子、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等重點(diǎn)領(lǐng)域，為客戶(hù)提供全方面的存儲(chǔ)產(chǎn)品及相關(guān)技術(shù)解決方案。展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)重點(diǎn)展示了DRAM存儲(chǔ)系列產(chǎn)品、SeDRAM?技術(shù)和CXL技術(shù)、新品牌云彣（UniWhen?）和SSD產(chǎn)品系列。128Mb PSRAM，新一代DRAM KGD產(chǎn)品系列DRAM KGD展區(qū)首次展示了紫
關(guān)鍵字：紫光國(guó)芯慕尼黑電子展 DRAM SeDRAM CXL

內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出

制造HBM難，制造3D DRAM更難。
關(guān)鍵字： HBM 3D DRAM

鎧俠公布藍(lán)圖：2027年實(shí)現(xiàn)1000層3D NAND堆疊

近日，據(jù)媒體報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖，目標(biāo)2027年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來(lái)，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長(zhǎng)，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實(shí)現(xiàn)了驚人的10倍增長(zhǎng)。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長(zhǎng)速度，預(yù)測(cè)到2027年達(dá)到1000層堆疊的目標(biāo)是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時(shí)間早了近3年，據(jù)日本媒體今年4月報(bào)道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季學(xué)術(shù)演講會(huì)上表示，公司計(jì)劃于2030至2031
關(guān)鍵字：鎧俠 3D NAND堆疊